Print Friendly, PDF & Email

IIINAs

„Nowa klasa półprzewodników III-N rozrzedzonych

arsenem: właściwości optyczne, strukturalne i elektryczne”

 (akronim projektu: IIINAs)

 

Projekt finansowany przez Narodowe Centrum Nauki w ramach konkursu „OPUS 15”

 

Nr projektu: 2018/29/B/ST3/02731

Wartość projektu: 1 745 800,00 PLN
Wartość dofinansowania: 1 745 800,00 PLN

Okres realizacji projektu: 2019/02/13 – 2022/02/10

 

Kierownik projektu: prof. dr hab. Detlef Hommel

 

W ramach niniejszego projektu badawczego wytworzone zostaną nowe materiały półprzewodnikowe za pomocą metody epitaksji z wiązek molekularnych (ang. molecular beam epitaxy). Będą to półprzewodniki III-N(As) z niewielką zawartością arsenu, które nazywamy związkami III-N(As) rozrzedzonymi arsenem. Ze względu na to, że półprzewodniki III-N występują w strukturze wurcytu a półprzewodniki III-As w strukturze blendy cynkowej spodziewamy się, że mieszanie tych grup materiałowych będzie prowadzić do związków, które będą charakteryzować się nietypowymi właściwościami optycznymi i elektrycznymi. Celem niniejszego projektu jest przeprowadzenie systematycznych badań strukturalnych, optycznych i elektrycznych dla związków III-N(As) oraz studniach kwantowych i heterostruktur zawierających te związki. Będą to badania podstawowe mające na celu poznanie właściwości fizycznych związków III-N(As) i ich heterostruktur, które nie były jak dotąd wytworzone, a które w przyszłości mogą mieć znaczny potencjał w zastosowaniach w przyrządach półprzewodnikowych takich jak emitery światła w zakresie krótkofalowym lub tranzystory wysokich mocy. Ze względu na to, że jest to technologia oparta na związkach azotku galu, który zrewolucjonizował przemysł oświetleniowy (nagroda Nobla z fizyki w 2014 roku – Prof. Isamu Akasaki, Prof. Hiroshi Amano i Prof. Shuji Nakamura) spodziewamy się, że proponowane badania będą miały duże znaczenie w dalszym rozwoju emiterów światła i elektroniki wysokotemperaturowej. Grupie badawczej wnioskodawcy niedawno udało się pokazać, że arsen buduje się do sieci GaN tak jak zakładano a więc postawione cele są realistyczne.

Print Friendly, PDF & Email
Autor: Sieć Badawcza Łukasiewicz - PORT Polski Ośrodek Rozwoju Technologii, Opublikowano: 15.02.2021
plusfontminusfontreloadfont